超越极紫外窄带光电探测与成像器件

本发明属于BEUV光刻技术领域，具体涉及超越极紫外窄带光电探测与成像器件。针对BEUV波段专用光电探测技术整体空白、现有13.5 nm EUV探测器结构与材料体系均无法适配BEUV波长工作需求的核心痛点，本发明所述器件采用宽禁带半导体固体探测器或真空电子器件作为器件基底，配合硼化镧和Ag、Au、Pt等贵金属膜的协同叠层结构设计；依托基底材料与多层功能膜的匹配耦合，实现对BEUV光子的高效探测。