隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法、电池组件和用电装置

本申请公开了一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法、电池组件和用电装置。隧穿氧化层钝化接触太阳能电池包括半导体衬底，半导体衬底的背光面设置有电极区和非电极区；沿远离半导体衬底的方向，在电极区依次设置有隧穿氧化层、第一掺杂半导体层、第一钝化层、第二掺杂半导体层和背面电极；其中，第一钝化层和第二掺杂半导体层延伸至非电极区。隧穿氧化层钝化接触太阳能电池所含的第二掺杂半导体层能够发挥阻挡外界正电荷离子向第一钝化层迁移的作用，提高第一钝化层发挥场钝化效应的稳定性，可以提升隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的抗电势诱导衰减性能。