一种发光二极管及发光装置

本申请属于半导体制造技术领域，提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管包括一外延结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、过渡层、有源层和第二半导体层；过渡层包括依次堆叠的第一超晶格层和第二超晶格层，第一超晶格层包括周期层叠的第一势阱层和第一势垒层，第二超晶格层包括周期层叠的第二势阱层和第二势垒层；其中，第一超晶格层的阱垒势差大于第二超晶格层的阱垒势差，能够约束有源层中的载流子，减少载流子溢流，保障有源层的辐射复合发光效率，同时具有良好的应力调制能力，并且还能够降低对载流子的限制作用，减少超晶格区域的过度局域化，提高载流子分布均匀性，增强了器件的发光亮度。