半导体结构及其制备方法

本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，通过在化学机械研磨工艺前增加光刻工艺和灰化工艺，使得上表面较低的第二区域上部分厚度的待研磨层被氧化形成待研磨氧化层，在化学机械研磨的过程中，利用待研磨层的化学机械研磨速率大于待研磨氧化层的化学机械研磨速率实现半导体结构中不同区域的上表面之间的高度差的可控性。