半导体外延气体纯化装置自动吹扫控制方法

本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体公开了半导体外延气体纯化装置自动吹扫控制方法，采集管路内压力衰减时序特征和红外光谱吸收强度值；通过梯度扩散加权积分变换和非线性耦合计算生成吹扫触发系数；依据吹扫触发系数经动态相位延迟迭代运算确定氮气脉冲参数及负压开启阈值；在脉冲间隔内采集气体分压波动数据，经递归差分比较得到实时吹扫剥离率；最后通过基于历史步长修正的递归收敛判别流程输出残余风险系数，当低于安全边界时终止吹扫并输出就绪信号；本发明实现了对管路内危险气体残留的自适应判别与吹扫终点自动判定。