一种ML贴付机背面伤不良率改善方法

本发明属于半导体硅片加工设备技术领域，涉及一种ML贴付机背面伤不良率改善方法。现有ML贴付机中押部真空管路无调压缓冲结构，抽真空瞬间强气流冲击易引发硅片背面摩擦与应力损伤，背面伤不良率偏高，影响产品良率与后续制程精度。本方法应用于带中押部机构的ML贴付机，依次执行上料定位、密闭合腔、梯度抽真空、保压加工、泄压复位步骤，在真空管路串联真空减压阀，采用分段抽气控制，初期限流缓升，达过渡阈值后提升流量，保压阶段管控真空度波动，泄压阶段双阀协同调速，配合中压布实现柔性贴合。本发明可平缓真空度变化，消减气流冲击与应力集中，降低硅片背面伤不良率，改造成本低、适配性强，兼顾工艺稳定性与生产效率。