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一种高导热低翘曲桥接式陶瓷封装基板结构及制作方法
발명알 수 없음
9청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
张龙; 王学龙
출원일
Aug 3, 2026
공개일
Oct 27, 2026
IPC 분류
H10W 70/652 (2026.01)H10W 70/63 (2026.01)H10W 70/65 (2026.01)H10W 70/692 (2026.01)H10W 70/60 (2026.01)H10B 80/00 (2026.01)H10W 70/05 (2026.01)H10W 40/25 (2026.01)H10W 40/22 (2026.01)H10W 70/685 (2026.01)
本发明属于半导体芯片封装技术领域,公开了一种高导热低翘曲桥接式陶瓷封装基板结构及制作方法,高导热低翘曲桥接式陶瓷封装基板结构中陶瓷芯板的上表面和下表面对称设置有ABF/PP/PI复合层,桥接芯片与金属层凸台紧密贴合,桥接芯片互连面内的芯片焊盘与金属走线层电气连通;制作方法包括以下步骤:S11、陶瓷芯板制备;S12:底层复合层制作与开槽、盲孔加工;S13:桥接芯片贴装;S14:上层ABF/PP/PI复合层叠制;S15:基板表面处理与封装集成。本发明可大幅提升芯片功率上限,降低翘曲风险,满足高速互连需求,低成本实现2.5D封装,降低行业门槛,工艺成熟可控,量产适配性强。
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