一种硅溶胶氮化镓抛光液及氮化镓的抛光方法

本发明属于氮化镓（GaN）半导体制造用化学试剂领域，涉及一种硅溶胶氮化镓抛光液及氮化镓的抛光方法。按照质量百分数计，由以下原料制成：硅溶胶磨料0.01‑15wt％，pH调节剂0.01‑1wt％，亚铁盐0.1‑8wt％，硅烷偶联剂0.01‑2wt%，水蒸发抑制剂0.01‑2wt％，络合剂0.1‑8wt%，过氧化氢以质量浓度为30%的过氧化氢计为5‑30wt％，余量为水。本发明通过硅烷偶联剂对硅溶胶微粒改性，并添加水分蒸发抑制剂，以增加硅溶胶微粒之间的空间位阻效应同时抑制抛光液水分蒸发，从而有效减少氮化镓CMP过程中残留抛光液的硅溶胶结晶，从而有效提高氮化镓晶圆的生产效率。