一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法

本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法。本发明提供的c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法，利用原子层沉积设备，先沉积形成GaO层，再沉积形成ZnO层，然后沉积形成InO层，能够实现精确的层间覆盖，可以在不需要额外工艺处理的条件下，通过控制沉积过程中的工艺参数（如锌源的源瓶温度、引入时间、气体流量及循环次数等），可以精确控制Zn/(In+Ga+Zn)占比，进而提高IGZO的结晶度和电学性能。