一种半导体封装中铜镍金多层电镀工艺

本发明公开了一种半导体封装中铜镍金多层电镀工艺，该工艺主要包括：基板前处理(除油、微蚀、活化)、电镀铜层、电镀低应力氨基磺酸镍阻挡层、镍层弱酸活化、电镀薄金层以及后处理。本发明的核心在于通过精确控制镍层的内应力和金层的厚度与致密性，并优化层间活化处理，实现了镀层的高结合力、优异的可焊性、卓越的抗扩散能力和长期可靠性，同时显著降低了金的用量和生产成本。该工艺特别适用于引线框架、封装基板等半导体封装部件。