碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件

本发明涉及半导体技术领域，本发明提供了一种碳化硅外延片的制备方法，包括：S1、将碳化硅衬底置于反应腔室内，在所述衬底的至少一侧沉积第一掺杂层；S2、在1610℃~1660℃的温度下，300mbar~1000mbar的压力下，采用氢气或含氯气体对所述反应腔体内部石墨件进行吹扫刻蚀；S3、在所述第一掺杂层背离所述碳化硅衬底的一侧沉积第二掺杂层；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中，其中之一为P型外延层，其中另一为N型外延层。该方法可以在同一腔室中交替生长N型外延层和P型外延层，弱化氮原子或铝原子的记忆效应，解决N型外延层和P型外延层界面掺杂模糊的问题。