一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法

本发明公开了一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法，涉及电学领域，包括步骤S1：将目标外延结构区域划分为若干子区域，获取各子区域在不同光谱下的色彩异常值及区域异常面积比，形成静态检测数据；步骤S2：基于静态检测数据进行静态缺陷检测，若无静态缺陷则进行动态检测，获取峰值发光亮度偏差；步骤S3：根据动态检测数据发布静态或动态缺陷预警。本发明通过多光谱协同分析和动静态结合检测，显著提高了缺陷检测的全面性和准确性。