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기록
一种远红外硅基高透过率超构表面及设计加工方法
발명유효
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
马云贵; 詹俊杰
IPC 분류
G02B 1/00 (2006.01)G02B 27/00 (2006.01)G02B 5/20 (2006.01)G02B 5/26 (2006.01)
本发明公开了一种远红外硅基高透过率超构表面及设计加工方法,涉及微纳光学器件领域。超构表面采用以孔型超构原子阵列层为中心层的层状堆叠结构,从入射侧到出射侧依次为上增透膜层、上衬底层、孔型超构原子阵列层、下衬底层、下增透膜层;上增透膜层和下增透膜层均包括由内到外依次设置的第一增透层和第二增透层;孔型超构原子阵列层、上衬底层和下衬底层均由单晶硅制成;本发明通过亚波长结构设计匹配界面等效折射率,在无损耗条件下,将远红外波段8‑12μm反射率提升至95%以上,工艺路线简单,且使用硅硅键合工艺封装保护超构表面的微结构单元,提升了超构表面在加工与应用中的稳定性。