适用于柔顺磨抛加工的均匀性去除轨迹规划方法及系统

本发明公开了一种适用于柔顺磨抛加工的均匀性去除轨迹规划方法及系统，方法包括S100：根据柔顺磨抛轮廓接触区域内的接触压力，建立柔顺磨抛接触轮与工件接触后在磨抛点的材料去除深度模型和材料去除廓形；S200：考虑柔顺接触变形导致的弦高误差的变化量，对所述材料去除深度模型进行修正，获得修正后的材料去除深度模型；S300：基于修正后的材料去除深度模型，并将所述材料去除廓形融入其中实现考虑材料去除特性的均匀性去除轨迹规划，得到包含姿态信息的加工轨迹序列。本发明考虑接触变形的等弦高误差步长计算和考虑均匀材料去除的等残高行距计算，实现了柔顺磨抛的均匀性去除轨迹规划，显著降低弹性变形导致的轨迹不连续问题。