面向半导体刻蚀工艺的三维轮廓仿真方法和装置

本发明公开面向半导体刻蚀工艺的三维轮廓仿真方法和装置，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中刻蚀工艺的三维刻蚀轮廓仿真方法精度和效率无法兼顾的问题。方法包括：构建待刻蚀半导体结构的三维仿真域并获取仿真参数；将所述三维仿真域离散为多个体素并对多个所述体素进行材料类型标记，得到多类体素；所述多类体素至少包括衬底体素和掩模体素；基于所述仿真参数，采用蒙特卡洛方法模拟入射粒子与目标体素的作用过程；所述目标体素为所述衬底体素或者所述掩模体素；当所有入射粒子完成作用过程后，输出刻蚀后的半导体结构的三维轮廓。本发明用于提高刻蚀工艺的三维刻蚀轮廓仿真方法精度和效率。