一种SiC MOSFET芯片建模方法和系统

本发明公开了一种SiC MOSFET芯片建模方法和系统，涉及芯片建模技术领域，获取SiC MOSFET芯片的静态特性数据和动态特性数据，根据静态特性数据构建对应的沟道电流模型，根据动态特性数据构建对应的动态模型，根据SiC MOSFET芯片的阈值电压温度特性、跨导温度特性和导通电阻温度特性对沟道电流模型进行修正，得到对应的目标沟道电流模型，调用预设的数学工具对目标沟道电流模型和动态模型进行参数拟合，得到对应的目标芯片模型。克服了现有的SiC MOSFET芯片仿真模型普遍忽略了体二极管与漂移区电阻的温度特性，导致模型在宽温工况下的仿真精度大幅下降，降低了仿真模型运行的可靠性的技术问题。