一种CIS的POD检测方法、装置及ATE设备

本申请适用于半导体芯片测试技术领域，提供了一种CIS的POD检测方法、装置及ATE设备，方法包括获取待检测图像，待检测图像由CIS采集，且亮度特征符合中心对称条件；执行坏点检测步骤，坏点检测步骤包括：在待检测图像中，以图像中心为基准，确定当前检测像素点的多个参考卷积核区域，参考卷积核区域与当前卷积核区域到图像中心的距离相同，当前卷积核区域基于当前检测像素点确定；将当前检测像素点的亮度值与当前卷积核区域、多个参考卷积核区域分别进行比较，确定多个比较结果；基于多个比较结果，确定当前检测像素点的坏点判定结果。上述方法可以解决传统算法中无法识别大面积簇内的部分坏点导致坏点识别准确性不足的问题。