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기록
半导体存储装置及其刷新控制方法
발명유효
4조회수
20청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
池田仁史
IPC 분류
G11C 11/406 (2006.01)G11C 11/408 (2006.01)G11C 11/4094 (2006.01)G11C 11/4097 (2006.01)
本发明提供一种半导体存储装置及其刷新控制方法,以抑制不必要电力消耗。半导体存储装置包括:具有多个区段的存储单元阵列,每个区段具有多条普通字线和多条冗余字线;以及,行冗余电路,被配置为在刷新操作期间活化这些普通字线中的不具缺陷者及这些冗余字线中的不具缺陷者;其中于每个区段中不进行这些普通字线中的具缺陷者及这些冗余字线中的具缺陷者的活化与置换。