一种基于SRAM的双行读取电路及方法

本发明公开了一种基于SRAM的双行读取电路及方法。该电路包括位于阵列奇数行的多个第一单元、位于阵列偶数行的多个第二单元以及外围检测电路。每个第一单元包括交叉耦合连接的第一反相器、第二反相器以及NMOS管N1、N2、N5、N6，每个第二单元包括交叉耦合连接的第三反相器、第四反相器以及NMOS管N9、N10。外围检测电路在读取操作中同时选通一对所述第一单元和所述第二单元的字线时，比较并判断两个单元存储的数据是否相同，是则使所述控制信号保持高电平，否则将所述控制信号的电压调为低电平。本发明在不显著增加芯片面积和功耗的前提下，将SRAM读取带宽提升近一倍，有效避免了因数据不同导致的读取错误，实现了高吞吐量与高读取准确性的统一。