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一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法

발명유효
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§ Ⅰ

개요

발명자

林龙扬; 杨郑轲; 孔镇; 吕浩然; 李瑚淼; 余浩枫; 王绪业; 何俊杰; 董纬荣; 刘骁; 李嘉敏; 李毅达; 周菲迟

IPC 분류

G11C 13/00 (2006.01)

本发明公开了一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法,RRAM电荷域非线性抵消电路包括:模拟存储模块、电压生成模块、存内计算模块;其中,所述电压生成模块用于输出斜坡电压信号;存内计算模块用于根据所述源线电压信号和字线打开时间进行乘累加运算,并向所述模拟存储模块输出非线性乘累加电压;所述斜坡电压信号抵消所述非线性乘累加电压的非线性部分,模拟存储模块向外部输出乘累加脉冲信号,乘累加脉冲信号的脉冲宽度与乘累加结果呈线性关系。本发明通过读出时的斜坡电压信号能够与存内计算模块输出的非线性乘累加电压的非线性相互抵消,从而输出线性的脉冲宽度结果,抵御非线性部分对读出结果的干扰。