非易失性存储器及其数据擦除方法

本申请实施例公开了一种非易失性存储器及数据擦除方法。存储器包括多个存储单元串，每个存储单元串包括串接的选择栅晶体管和存储单元。方法包括：向待进行擦除操作的存储单元串施加具有台阶状上升的电压波形的台阶擦除电压；在台阶擦除电压从其中间电平升高至其峰值电平期间，将选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平，并将预定区域的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平，从而在存储单元串中生成栅极感应漏极泄漏电流，预定区域邻近选择栅晶体管，并包括至少一个存储单元。通过对选择栅晶体管和邻近选择栅晶体管的预定区域施加偏置电压，可在存储单元串的沟道中生成栅极感应漏极泄漏电流，实现有效地数据擦除。