陶瓷绝缘子的介电击穿相场模拟方法、系统及存储介质

本发明公开了一种陶瓷绝缘子的介电击穿相场模拟方法、系统及存储介质，方法包括采用Grasshopper插件对陶瓷绝缘子的非均匀多孔洞结构进行批量建模，生成陶瓷绝缘子的二维模型文件；将所述二维模型文件导入COMSOL软件，并分别对孔洞和基体赋予材料属性；分别对多孔洞结构和基体进行网格划分，并定义边界条件；基于材料属性、网格划分结果和边界条件，求解介电击穿演化路径的计算模型，得到陶瓷绝缘子非均匀多孔结构对介电性能和击穿演化的影响规律；本发明利用Grasshopper插件可快速的建立与实际非均匀多孔结构高度相似的模型，同时利用COMSOL软件进行相场电击穿模拟，得出结构—性能关系规律。