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기록
多层薄膜电容器及其制备方法
발명유효
5조회수
14청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
刘亦谦; 刘隽甫; 孙士伦
IPC 분류
H01G 4/30 (2006.01)H01G 4/005 (2006.01)H01G 4/00 (2006.01)
本发明公开了一种多层薄膜电容器及其制备方法,涉及电容器技术领域。其中,该多层薄膜电容器,包括:基底层;电介质层,沿预设方向设置于所述基底层上;内电极层,设置于所述电介质层之间;外电极,分别与所述电介质层和所述基底层相连;其中,所述电介质层和所述内电极层交替叠加,以形成多层电容器结构。本发明,解决在现有技术中,通过流延工艺制造的MLCC介质层厚度通常在几微米至几十微米之间,却很难将单层介质层厚度做到1微米以下的问题。