一种基于化学机械抛光的微纳空气沟道晶体管及其制备方法

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于化学机械抛光的微纳空气沟道晶体管及其制备方法，采用普通紫外光刻结合化学机械抛光与牺牲层释放工艺，实现亚微米级空气沟道的低成本、高精度批量制造；同时兼容金属、半导体等多种阴极材料，通过多层材料堆叠再抛光释放的工艺手段突破传统刻蚀工艺的深宽比限制，使阴极厚度显著增加至微米尺度，既能降低高频趋肤效应损耗、提升高频信号传输效率，又能增大有效发射面积以提升电流发射能力，还可减小缺陷、提高成膜质量，改善器件稳定性、热导率和功率耐受性，解决了传统水平结构器件阴极发射层薄、发射能力差、功率耐受度低且高频损耗大等问题。