一种半导体刻蚀设备及其控制方法

本申请提供一种半导体刻蚀设备及其控制方法，半导体刻蚀设备包括离子源腔。离子源腔设置有电磁铁阵列结构，电磁铁阵列结构包括多个电磁铁单元以及支撑结构，多个电磁铁单元设置于所述支撑结构上。电磁铁阵列结构用于提供目标形状和目标强度的磁场，以利用目标形状和目标强度的磁场控制离子源腔内部的等离子体的空间分布，目标形状和目标强度的磁场根据多个电磁铁单元的位置、多个电磁铁单元的电流以及电磁铁阵列结构的运动状态确定，从而实现对等离子体的空间分布进行多种场景的调控，以便最终实现离子束的空间分布的多种场景的调控。