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一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备
발명유효
1조회수
11청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
翟硕彦
IPC 분류
H01J 37/32 (2006.01)H10P 72/00 (2026.01)
本发明公开了一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备,包括刻蚀腔室、匀气盘、线圈壳体和匀气盘冷却结构。刻蚀腔室用于容纳晶圆并发生等离子体刻蚀反应;匀气盘设置在刻蚀腔室上端,用于向刻蚀腔室输送反应气体;线圈壳体设置在匀气盘上端,用于容纳线圈;匀气盘冷却结构包括风冷装置和通风口,风冷装置设置在线圈壳体的上表面;风冷装置的进风口位于线圈壳体上方,出风口穿过线圈壳体的上表面朝向匀气盘的中心区域,并且,风冷装置的出风方向与匀气盘的上表面之间的角度在30°到90°之间;通风口开设在线圈壳体的侧面。本发明可以对匀气盘的中心区域进行针对性的冷却,有利于保证匀气盘的温度均匀性,且风道结构简单,冷却效率较高。