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案件記録
一种低比表面积的硅碳材料及其制备方法与应用
発明有効
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
程敏; 杨敏; 刘昭; 柯鑫
IPC分類
H01M 4/36 (2006.01)H01M 4/38 (2006.01)H01M 4/587 (2010.01)H01M 4/62 (2006.01)H01M 10/052 (2010.01)
本发明公开了一种低比表面积的硅碳材料及其制备方法与应用,属于负极材料技术领域。该低比表面积的硅碳材料的制备方法包括以下步骤:将第一碳源与含硅纳米材料混合后进行初步碳化,随后破碎,得到微米硅碳材料;将所述微米硅碳材料与第二碳源混合后进行水热碳化,得到低比表面积的硅碳材料。通过初步碳化,一方面能够使含硅纳米材料颗粒粘结,形成微米颗粒并完成第一层包覆,初步降低材料的比表面积;再通过水热碳化,使得第二碳源填补进微米硅碳材料的表面孔隙中,形成致密结构,进而得到低比表面积的硅碳材料;该硅碳材料体积膨胀小,稳定性好。
外部リソース