一种基于刻蚀工艺的晶圆切割方法及切割后的晶圆

本发明提供了一种基于刻蚀工艺的晶圆切割方法，及半导体制造技术领域。本发明中晶圆包括由下至上依次堆叠的衬底、波导层和第一氧化层，先对第一氧化层、波导层和衬底依次进行刻蚀，以形成第一刻蚀槽。之后将第一氧化层背离波导层的一侧键合到目标载体上，然后对衬底背离波导层的一侧进行刻蚀，以形成第二刻蚀槽，第二刻蚀槽与第一刻蚀槽连通，第二刻蚀槽的宽度与第一刻蚀槽的宽度不同，最后对晶圆和目标载体进行解键合，得到切割后的芯片。上述技术方案基于刻蚀工艺对晶圆进行切割，可以降低应力集中，避免崩边碎裂，另外切割更加彻底，便于芯片分离。