一种可量产的边发射激光器制备方法

本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种可量产的边发射激光器制备方法，包括以下步骤，在衬底上依次生长出各外延层；在外延层顶部旋涂底胶；在底胶顶部叠涂顶胶；通过曝光和显影，在外延层顶部形成脊结构图案；通过ICP对脊结构图案其余部位进行刻蚀；整体生长一层钝化层；去除顶胶以及顶胶上方的钝化层；去除底胶，脊结构顶部形成打开的窗口；整面生长种子金并通过热退火形成欧姆接触用于制作电极。底胶与GaAs粘附力突出可以不增加HMDS中间层；同时底胶与光刻胶溶剂几乎不溶，所以烘烤时不用担心与相邻光刻胶混合。通过一次光刻刻蚀，就完成传统方案相同的目的，简化工艺难度，缩短流片时间，提升量产效率。