一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法

本发明公开了一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法，包括计算氧化过程中材料体积收缩导致的收缩应力分布，获得其在氧化孔道不同深度区域的分布参数；模拟收缩应力对氧化孔道形状和位置的影响，得到孔道的预测形变量和位置偏移量；以减小预测形变量和位置偏移量为目标，生成一组优化的氧化工艺参数；根据位置偏移量和收缩应力分布生成补偿后的氧化路径；采用优化的氧化工艺参数和补偿后的氧化路径执行氧化过程，并在氧化过程中实时监测反映应力状态的物理量，动态调整氧化工艺参数。本发明能够通过主动预测应力分布并进行前馈补偿，结合氧化过程的实时反馈调节，实现对孔道形状与位置的高精度、高稳定性控制。