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기록

一种双波长超辐射发光二极管及其制备方法

발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

李金明; 韩杰

IPC 분류

H01S 5/34 (2006.01)H01S 5/20 (2006.01)H01S 5/22 (2006.01)H01S 5/10 (2021.01)H01S 5/02 (2006.01)

本发明提供一种双波长超辐射发光二极管及其制备方法,双波长超辐射发光二极管包括层叠设置的衬底、第一半导体包层、第一光限制层、量子阱有源层、第二光限制层和第二半导体包层,第二半导体包层远离第二光限制层的一侧表面设置有脊波导结构;其中,量子阱有源层包括第一发光层和第二发光层,第二发光层与第一发光层同层且相邻设置,第一发光层能够发射波长为λ1的第一光线,第二发光层能够发射波长为λ2的第二光线,且λ1<λ2;脊波导结构用于将第一光线和第二光线分别引导并汇聚于同一出光面射出。本发明可显著突破单波长器件的光谱带宽限制,适配光纤传感、相干成像等对宽光谱光源的需求;同时,在不增加器件体积的前提下提升总输出功率。