适用于高温工作环境的高功率量子级联激光器及外延结构

本发明公开了适用于高温工作环境的高功率量子级联激光器的外延结构，其结构由下到上依次包括：InP衬底、InP缓冲层、InP下限制层、InGaAs下波导层、InGaAs/InAlAs超晶格有源区、InGaAs上波导层、InP上限制层、InP欧姆接触层；所述InGaAs/InAlAs超晶格有源区包括激射区、弛豫区，激射区是电子通过跃迁产生激光的核心区域，弛豫区是通过声子散射快速排出电子并将其注入下一个激射区的通道，激射区与弛豫区交替级联，共同实现一个电子多次发光的高效过程，通过渐变的能带结构来抑制载流子从上激射能级以上的微带逃逸，降低有源区高能级与上激发态之间的波函数重叠，抑制载流子泄漏，并通过有效应变补偿，将外延材料的净应变降低，满足金属有机化学气相沉积外延工艺的要求。