一种基于砷化镓IPD工艺的中频滤波器芯片

本发明公开了一种基于砷化镓IPD工艺的中频滤波器芯片，采用具有三层金属层的GaAs IPD工艺，包括六个谐振器、十二个电容及三个金属化接地孔。六个谐振器由电容~与电感~分别通过串/并联组成，且电感均为自建的八边形结构，仅在中间层与最上层金属层走线；通过支路串联电容~与主路并联电容~，分别在低频带外、高频带外共形成六个传输零点。本发明实现了滤波器芯片的小尺寸、宽频带特性，同时降低损耗、提升带内平坦度，且具备高频率选择性与高带外抑制能力。