高消光比相干光硅光收发芯片及其发射方法与接收方法

本申请涉及光收发机技术领域，公开了一种高消光比相干光硅光收发芯片及其发射方法与接收方法。所述芯片的发射端包括由调制器(102)与光开关(103)级联构成的结构；接收端包括由2×2耦合器(104)和单一光电探测器(105)组成的简化接收结构；且所有器件均集成于单一硅光芯片上。本申请通过在发射端引入调制器与光开关的级联架构，显著提升了发射消光比，有效抑制了非工作ONU引起的直流泄露干扰，从而提升了系统的信噪比与接收灵敏度。同时，简化的接收架构与硅光子平台的结合实现了低功耗、低成本和小体积的收发功能，能够满足高速光接入场景的需求。