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기록
一种碳基膜结构及其制造方法
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
출원인
深圳市飞荣达科技股份有限公司
발명자
戴福庆
IPC 분류
H05K 9/00 (2006.01)H01B 5/14 (2006.01)H01B 13/00 (2006.01)
本发明涉及碳基膜成型技术领域,公开了一种碳基膜结构及其制造方法,铜箔层设置于导电与绝缘组件的表面,碳基膜设置于铜箔层的表面,碳基膜的尺寸小于铜箔层的尺寸,第一麦拉层覆盖于碳基膜的表面,第一麦拉层的边缘与铜箔层相连接,以将碳基膜包裹;通过将碳基膜的尺寸小于铜箔和第一麦拉层,可使得碳基膜被铜箔层与第一麦拉层包裹;该结构的全包裹设计实现碳基膜全方位防护,保障电子元件精密触点与电路清洁;铜箔层增强导电性,导电与绝缘组件兼顾功能需求,整体结构兼顾防护性、导电性与实用性,适配无线充等电子产品的高精度使用场景;同时铜箔的塑形能力,可提高产品不同层面立体加工。