半导体结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法、电子设备

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法、电子设备。该半导体结构的制备方法包括：提供一衬底，衬底具有中心区域和位于中心区域周围的边缘区域，衬底的一侧形成有介质结构，介质结构远离衬底的一侧形成有在衬底上的正投影位于中心区域的第一沟槽和位于边缘区域的第二沟槽；接着，在第一沟槽内形成键合结构；接着，在第二沟槽内形成平坦化辅助结构，并使键合结构、平坦化辅助结构和介质结构远离衬底一侧的表面平齐。本申请能够取得更好的键合界面平坦化效果，提升整个键合界面的平整度，提升键合性能。