半导体结构及其制造方法、电子设备

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、电子设备。该制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠层；并在堆叠层上形成第一孔、第二孔以及第一沟槽；其中，第二孔包括第一子孔和第二子孔；第一孔与第一沟槽内填充有牺牲材料；在第二孔内依次形成半导体层、栅极氧化层，并填充导电材料；从第一孔和/或第一沟槽内去除牺牲材料，使第二氧化层显露；从第一孔和/或第一沟槽通入刻蚀气体，以去除位于第二子孔的第二氧化层；去除位于第二子孔的半导体层，以形成垂直于衬底间隔堆叠排布的多个晶体管。通过本公开实施例，先利用气体刻蚀去除半导体层表面的部分氧化层，可以提升去除寄生的半导体层时的形貌效果。