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案件記録

半导体存储器件

発明有効
20請求項 · 3 独立
§ Ⅰ

案件概要

出願人

三星电子株式会社

発明者

南炅兑; 朴哲权

IPC分類

H10B 12/00 (2023.01)H10W 42/20 (2026.01)G11C 11/4097 (2006.01)G11C 11/404 (2006.01)

一种半导体存储器器件包括存储单元阵列、多条全局位线、多条局部位线和屏蔽结构。位于半导体衬底上的存储单元阵列包括多个存储单元。多条全局位线在与半导体衬底的顶表面垂直的第一方向上位于存储单元阵列的上方,在与半导体衬底的顶表面平行的第二方向上布置,并在与半导体衬底的顶表面平行的第三方向上延伸。多条局部位线在第一方向上延伸并连接多个存储单元和多条全局位线。屏蔽结构位于存储单元阵列与多条全局位线之间,并且被配置为至少部分屏蔽存储单元阵列与多条全局位线之间的电气干扰。

外部リソース