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기록
三维半导体器件
발명유효
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
朴正敏; 姜埈求; 金范宗; 丁炯硕
IPC 분류
H10B 12/00 (2023.01)
一种三维半导体器件可以包括:半导体图案,在平行于基板的底表面的第一方向上延伸;字线,围绕半导体图案的一部分并在平行于基板的底表面且与第一方向正交的第二方向上延伸;位线,在半导体图案的第一侧表面上并在垂直于基板的底表面的第三方向上延伸;电容器,在半导体图案的与第一侧表面相对的第二侧表面上;以及金属硅化物图案,在电容器和半导体图案的第二侧表面之间。电容器可以包括围绕金属硅化物图案的第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。第一电极可以包括金属氧化物材料。