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기록
半导体装置及半导体装置的制造方法
발명유효
12청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
宫入秀和; 神保安弘; 村川努; 井坂史人; 仓田求; 山崎舜平
IPC 분류
H10B 12/00 (2023.01)H10B 10/00 (2023.01)H10D 30/63 (2025.01)H10D 30/67 (2025.01)H10D 62/80 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)
提供一种易于微型化的半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层及晶体管。晶体管包括第一导电层、第二导电层、第一半导体层、第三绝缘层及第三导电层。第一绝缘层位于第一导电层上并具有到达第一导电层的狭缝,第二导电层位于第一绝缘层上,第一半导体层包括与第二导电层接触的第一部分、沿着狭缝的侧面的第二部分及在狭缝的内部与第一导电层的顶面接触的第三部分,第三导电层具有隔着第三绝缘层与第一半导体层的第二部分对置的部分,第二绝缘层具有隔着第三绝缘层及第三导电层与第一半导体层的第二部分对置的部分以及隔着第一半导体层的第三部分与第一导电层的顶面重叠的部分。