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一种半导体结构

발명유효
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§ Ⅰ

개요

IPC 분류

H10B 12/00 (2023.01)

一种半导体结构,包括衬底,设置在所述衬底上的多条位线,多条位线沿着第一方向延伸并且沿着第二方向平行排列。多个绝缘插塞以及多个第一间隔物交替设置在位线之间。还包括:交替设置在位线之间的多个导电插塞以及多个第二间隔物。绝缘插塞和第一间隔物排布在导电插塞和第二间隔物的外侧,第一间隔物与绝缘插塞接触的一边缘具有外凸弧形轮廓,第二间隔物与导电插塞接触的一边缘具有内凹弧形轮廓,如此可获得尺寸较大的导电插塞以降低电阻,同时确保导电插塞之间的电性隔离。