半导体结构及其制造方法

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括位元线结构、第一介电层、第一栅极结构、第一位元线、第二介电层和第一存储栅极结构。第一介电层设置在位元线结构上方。第一栅极结构埋设在第一介电层中。第一字元线埋设于第一介电层中且环绕第一栅极结构。第二介电层设置于第一介电层上方。第一存储栅极结构埋设于第二介电层中。本发明提供的半导体结构及其制造方法可以降低成本，并且在相同单元尺寸下使DRAM的容量提高至少1.5倍。