一种具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器及其制备方法

本申请涉及存内计算存储器技术领域，尤其涉及一种具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器及其制备方法。所述具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器包括：中心栅极，沿相对于所述底部衬底的垂直方向延伸设置；半导体叠层结构，所述半导体叠层结构包括依次环所述中心栅极的外金属层、铁电层、内金属层、栅极氧化层和多晶硅通道；漏极和源极，所述漏极和源极沿相对于所述中心栅极的水平方向延伸至半导体叠层结构中与所述铁电层接触，所述漏极和源极沿所述中心栅极的延伸方向间隔成对设置有多对进而形成多个铁电存储晶体管单元；全局栅极线，通过栅极接触与中心栅极连接。本申请的具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器，使用MFMIS结构，缓解了铁电材料的疲劳与老化，提高了耐久性。