一种半导体器件及其制备方法和存储系统

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法和存储系统，该半导体器件包括至少一个存储块，所述存储块包括第一地址线、存储单元和保护层。第一地址线沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列，所述第二方向与所述第一方向垂直；存储单元位于所述第一地址线沿第三方向的一侧，所述第三方向垂直于所第一方向和所述第二方向；保护层位于所述存储块的边缘侧壁，由于保护层在存储块的边缘可以对存储块的刻蚀工艺造成的边缘损伤进行修复，进而可以改善第一地址线在后续工艺中的漏电现象，从而改善存储单元的读写操作。