一种半导体器件及其制造方法

一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有底部电极；在所述层间介电层及所述底部电极上依次形成刻蚀停止层和牺牲层；图案化所述牺牲层和所述刻蚀停止层，以形成暴露所述底部电极的通孔；形成填充所述通孔并覆盖所述牺牲层的金属层；以所述刻蚀停止层的上表面为抛光终点执行化学机械抛光工艺，以去除所述牺牲层和位于所述刻蚀停止层上方的所述金属层，保留位于所述刻蚀停止层中的金属层以构成加热电极。该制造方法能够准确控制化学机械抛光工艺的终点，从而控制加热电极的厚度。