二极管结构、半导体器件及其制造方法

一种二极管结构包括第一半导体层堆叠，其中第一半导体层堆叠包括与多个第二半导体层交替布置的多个第一半导体层。二极管结构还包括第二半导体层堆叠，其中第二半导体层堆叠包括以与多个第四半导体层交替布置的多个第三半导体层。二极管结构还包括位于第一半导体层堆叠和第二半导体层堆叠之间的第五半导体层，其中第五半导体层的成分不同于多个第一半导体层中的每个、多个第二半导体层中的每个、多个第三半导体层中的每个和多个第四半导体层中的每个。二极管结构还包括第一半导体层堆叠中的n型掺杂区；以及第二半导体层堆叠中的p型掺杂区。本申请的实施例还提供了半导体器件及制造二极管结构的方法。