基于复合纳米材料的超快恢复功率二极管及其制备方法

本发明涉及电子元器件技术领域，特别是一种基于复合纳米材料的超快恢复功率二极管及其制备方法，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极与阴极之间的复合纳米半导体层；所述复合纳米半导体层为由经特殊掺杂和表面修饰的碳纳米管与高纯度硅基体构成的复合材料；所述阳极和/或阴极与所述复合纳米半导体层的接触界面为三维网状电极结构。本发明通过材料创新与结构优化相结合，成功制备出一种兼具超快恢复速度、低导通损耗、高耐压能力和优异热稳定性的功率二极管。还提供了一种高效、可靠且可规模化实施的先进功率二极管制备方案，所制得的器件在恢复速度、导通特性及长期可靠性方面均表现出卓越性能。