快恢复二极管及其制造方法

本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，通过引入N型隔离层、N型接触结构和沟槽栅结构，从而在所述快恢复二极管的阳极引入了横向JFET结构，增加阳极电流的注入效率，从而调控P型发射极的空穴注入效率，进而优化器件内部载流子分布，在不需要额外少数载流子寿命控制技术下，获得优秀的反向恢复性能，还能很好地抑制电压电流异常振荡和电磁干扰问题。此外，本发明还能降低传统快恢复二极管少数载流子寿命控制方式带来的漏电偏大问题，从而提高器件的运行稳定性和可靠性。