快恢复二极管及其制造方法

本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，P型体区层和P型发射极之间形成有N型隔离层，N型漂移层具有伸入到所述P型体区层中的凸出部，所述凸出部与所述N型隔离层相连；所述P型发射极侧形成有N型接触结构，所述N型接触结构和金属阳极相连，通过在所述P型体区层和所述P型发射极之间形成N型隔离层，从而在所述快恢复二极管的阳极引入了横向JFET结构，同时，所述N型接触结构和所述N型隔离层可以调节所述P型发射极的空穴注入效率，优化所述快恢复二极管内部的载流子分布，降低器件导通时的空穴电流，同时增加器件导通时的电子电流。避免了重金属污染、生产成本增大和反向恢复能力与导通性能之间的折中关系变差等问题。