半导体结构及其制造方法、注入挡片的制造方法

本申请涉及一种半导体结构及其制造方法、注入挡片的制造方法。该制造方法包括：提供衬底。于所述衬底的一侧形成晶体管结构。于所述衬底背离所述晶体管结构的一侧执行背面减薄工艺。于所述衬底背离所述晶体管结构的一侧形成第一型集电区。将注入挡片置于所述第一型集电区背离所述衬底的一侧；所述注入挡片具有多个相互间隔且呈阵列分布的注入通孔。基于所述注入挡片的多个所述注入通孔，于所述第一型集电区内形成多个相互间隔且呈阵列分布的第二型集电区；各所述第二型集电区的位置与各所述注入通孔的位置一一对应。移除所述注入挡片。本申请能够有效简化工艺流程并避免晶圆碎片问题，在提高产品良率的同时降低工艺成本。